公考上岸號(hào)
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發(fā)布時(shí)間: 2025年01月24日 08:23
中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所(InstituteofSemiconductors,CAS)是集半導(dǎo)體物理、材料、器件研究及系統(tǒng)集成應(yīng)用的國(guó)家級(jí)綜合性研究所,于1960年在北京成立。半導(dǎo)體所現(xiàn)有在職科研人員600余名。中國(guó)科學(xué)院院士8名,中國(guó)工程院院士1名,高層次引才計(jì)劃50余人,國(guó)家杰出青年科學(xué)基金獲得者20人,“百千萬(wàn)人才工程”入選者10人。設(shè)有3個(gè)博士后流動(dòng)站,5個(gè)一級(jí)學(xué)科博士培養(yǎng)點(diǎn),1個(gè)工程博士培養(yǎng)點(diǎn),2個(gè)工程碩士培養(yǎng)點(diǎn)。?
中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所擁有優(yōu)秀的研究隊(duì)伍、科研平臺(tái)和教學(xué)基地,是中國(guó)科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電技術(shù)學(xué)院的主辦單位,材料科學(xué)與工程入選國(guó)家一流學(xué)科。在相關(guān)研究領(lǐng)域已取得一系列重大原創(chuàng)性成果,近年來(lái)獲得國(guó)家自然科學(xué)獎(jiǎng)、國(guó)家科技進(jìn)步獎(jiǎng)等多項(xiàng)獎(jiǎng)勵(lì),黃昆院士榮獲2001年度國(guó)家最高科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)。?
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一、????招聘崗位
用人部門(mén) | 序號(hào) | 崗位職責(zé) | 學(xué)歷/學(xué)位 | 招聘數(shù)量 | 專業(yè)領(lǐng)域 | 接收簡(jiǎn)歷郵箱 | 是否應(yīng)屆生 |
集成技術(shù)中心 | 1 | 半導(dǎo)體工藝技術(shù)開(kāi)發(fā) | 博士 | 2 | 電子科學(xué)與技術(shù)類(lèi)、物理類(lèi) | shenqing@semi.ac.cn | 是 |
人工智能與高速電路實(shí)驗(yàn)室 | 2 | 數(shù)字芯片崗位,模擬芯片崗位 | 博士、碩士 | 3-5 | 微電子及相關(guān)專業(yè) | xdong@semi.ac.cn | 不限 |
固態(tài)光電信息技術(shù)實(shí)驗(yàn)室 | 3 | 有博士后經(jīng)歷,研究氮化鎵半導(dǎo)體器件工藝 | 博士 | 1 | 微電子學(xué)與固體電子學(xué) | dgzhao@red.semi.ac.cn | 不限 |
4 | 開(kāi)展非侵入式腦-機(jī)接口研究 | 博士 | 1 | 電子科學(xué)與技術(shù)類(lèi) | peiwh@semi.ac.cn | 否 | |
5 | 半導(dǎo)體單晶襯底表面缺陷的形成機(jī)理及去除方法 | 碩士或博士 | 1 | 化學(xué)類(lèi)、材料物理與化學(xué) | shenguiying@semi.ac.cn | 不限 | |
6 | 新材料的晶體生長(zhǎng)工藝和缺陷分析 | 碩士或博士 | 1 | 半導(dǎo)體材料類(lèi)、半導(dǎo)體物理 | shenguiying@semi.ac.cn | 不限 | |
半導(dǎo)體物理實(shí)驗(yàn)室 | 7 | 主要負(fù)責(zé)自旋芯片研制和應(yīng)用開(kāi)發(fā) | 博士 | 1 | 電子科學(xué)與技術(shù)類(lèi)、物理類(lèi) | kywang@semi.ac.cn | 不限 |
8 | 半導(dǎo)體光譜測(cè)試,實(shí)驗(yàn)室儀器設(shè)備搭建 | 碩士以上 | 1 | 物理類(lèi)、光學(xué)類(lèi) | phtan@semi.ac.cn | 不限 | |
9 | 微納材料合成/片上微納結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)仿真、工藝及表征 | 碩士及以上 | 1 | 材料類(lèi)、電子類(lèi) | shenchao@semi.ac.cn | 不限 | |
10 | 微納尺度光-電-力相互作用研究,微納操控與傳感 | 博士 | 1 | 物理類(lèi)、材料類(lèi) | shenchao@semi.ac.cn | 不限 | |
11 | 助理研究員/副研究員:須具備博士后經(jīng)歷,從事自旋電子器件實(shí)驗(yàn)研究,能夠獨(dú)立完成科研論文和項(xiàng)目申請(qǐng)書(shū)撰寫(xiě),已發(fā)表高水平文章者優(yōu)先?? | 博士 | 1 | 自旋電子學(xué) | ljzhu@semi.ac.cn | 不限 | |
12 | 特別研究助理:從事自旋電子實(shí)驗(yàn)研究,自旋電子學(xué)專業(yè),能夠獨(dú)立完成科研論文和項(xiàng)目申請(qǐng)書(shū)撰寫(xiě),已發(fā)表高水平文章者優(yōu)先?? | 博士 | 2 | 自旋電子學(xué) | ljzhu@semi.ac.cn | 不限 | |
13 | 實(shí)驗(yàn)工程師:負(fù)責(zé)實(shí)驗(yàn)室設(shè)備和微納加工工藝及組長(zhǎng)交待其他的其他工作,物理、材料、電子專業(yè),已發(fā)表高水平文章者優(yōu)先?? | 本科及以上 | 1 | 自旋電子學(xué) | ljzhu@semi.ac.cn | 不限 | |
14 | 半導(dǎo)體材料物性與器件應(yīng)用研究 | 博士 | 1 | 材料科學(xué)與工程類(lèi)、物理類(lèi) | liuxf@semi.ac.cn | 不限 | |
15 | 博士后/特別研究助理,新型半導(dǎo)體材料與器件 | 博士 | 1 | 納米材料與技術(shù)類(lèi)、物理類(lèi) | liuxf@semi.ac.cn | 不限 | |
納米光電子實(shí)驗(yàn)室 | 16 | 半導(dǎo)體光電器件研究 | 博士 | 3 | 微電子與固體電子學(xué)、物理類(lèi) | xuyun@semi.ac.cn | 不限 |
17 | 光電器件工藝技術(shù)開(kāi)發(fā) | 本科、碩士 | 4 | 電子科學(xué)與技術(shù)類(lèi)、物理類(lèi) | xuyun@semi.ac.cn | 不限 | |
18 | 光電器件測(cè)試開(kāi)發(fā) | 本科、碩士 | 2 | 電子科學(xué)與技術(shù)類(lèi)、儀器科學(xué)與技術(shù)類(lèi) | xuyun@semi.ac.cn | 不限 | |
19 | 半導(dǎo)體器件與集成技術(shù)的研發(fā)與相關(guān)項(xiàng)目的完成 | 博士 | 2 | 微電子與固體電子學(xué)、物理類(lèi) | weix@semi.ac.cn | 不限 | |
20 | 進(jìn)行各類(lèi)半導(dǎo)體光源的研發(fā)與相關(guān)項(xiàng)目的完成 | 博士 | 1 | 電子科學(xué)與技術(shù)類(lèi) | caoyl@semi.ac.cn | 不限 | |
21 | 進(jìn)行硅基異質(zhì)集成光電子器件的相關(guān)研發(fā)和科技管理 | 博士 | 1 | 電子信息類(lèi)、化工與制藥類(lèi) | caoyl@semi.ac.cn | 不限 | |
22 | 從事薄膜鈮酸鋰光電子器件開(kāi)發(fā),要求具備相關(guān)流片工藝經(jīng)驗(yàn),發(fā)表相關(guān)領(lǐng)域SCI論文3篇及以上,有全職在站博士后經(jīng)歷 | 博士 | 1 | 物理電子學(xué) | jgliu@semi.ac.cn | 不限 | |
光電子材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 | 23 | 開(kāi)展光電智能計(jì)算芯片仿真設(shè)計(jì)、裸片和封裝后的相關(guān)性能指標(biāo)測(cè)試;開(kāi)展微波光子伊辛機(jī)相關(guān)研究工作 | 本科、碩士及以上 | 2 | 電子科學(xué)與技術(shù)類(lèi)、物理類(lèi) | ml@semi.ac.cn | 不限 |
24 | 開(kāi)展光電集成芯片仿真設(shè)計(jì)、芯片測(cè)試、模塊封裝與測(cè)試;開(kāi)展硅基異質(zhì)集成芯片技術(shù)開(kāi)發(fā)與芯片制備 | 本科、碩士及以上 | 2 | 電子科學(xué)與技術(shù)類(lèi)、物理類(lèi) | ml@semi.ac.cn | 不限 | |
25 | 開(kāi)展光電振蕩器理論分析、芯片設(shè)計(jì)、系統(tǒng)開(kāi)發(fā),開(kāi)展光電振蕩器集成器件測(cè)試與功能驗(yàn)證 | 本科、碩士及以上 | 2 | 電子科學(xué)與技術(shù)類(lèi)、物理類(lèi) | ml@semi.ac.cn | 不限 | |
26 | 開(kāi)展高速驅(qū)動(dòng)放大和控制電路分析、版圖設(shè)計(jì)、芯片開(kāi)發(fā),開(kāi)展高速接口收發(fā)芯片測(cè)試與功能驗(yàn)證 | 本科、碩士及以上 | 2 | 電子科學(xué)與技術(shù)類(lèi)、通信類(lèi) | ml@semi.ac.cn | 不限 | |
27 | 開(kāi)展光電融合集成理論分析、芯片設(shè)計(jì)、片上光路與電路開(kāi)發(fā),開(kāi)展光電單片集成芯片的測(cè)試與功能驗(yàn)證 | 本科、碩士及以上 | 2 | 電子科學(xué)與技術(shù)類(lèi)、通信類(lèi) | ml@semi.ac.cn | 不限 | |
28 | 半導(dǎo)體器件工藝及芯片測(cè)試 | 本科及以上 | 1 | 電子信息類(lèi)、物理類(lèi) | ludan@semi.ac.cn | 不限 | |
29 | 銻化物低維結(jié)構(gòu)分子束外延生長(zhǎng)與激光器制備 | 博士 | 1 | 電子科學(xué)與技術(shù)類(lèi) | nihq@semi.ac.cn | 否 | |
30 | 量子點(diǎn)激光器的外延與制備 | 博士 | 1 | 電子科學(xué)與技術(shù)類(lèi) | nihq@semi.ac.cn | 否 | |
31 | 面發(fā)射激光器、光電集成及系統(tǒng)應(yīng)用 | 博士 | 1 | 電子科學(xué)與技術(shù)類(lèi)、應(yīng)用物理類(lèi) | liuanjin@semi.ac.cn | 是 | |
32 | 光電子器件測(cè)試 | 本科、碩士及以上 | 1 | 電子科學(xué)與技術(shù)類(lèi)、應(yīng)用物理類(lèi) | liuanjin@semi.ac.cn | 不限 | |
33 | 博士或博后,光子芯片與光量子芯片研究 | 博士 | 1 | 物理類(lèi)、電子科學(xué)與技術(shù)類(lèi) | xsxu@semi.ac.cn | 不限 | |
34 | 微納光電子材料與器件研究 | 本科、碩士及以上 | 2 | 物理類(lèi)、電子科學(xué)與技術(shù)類(lèi) | xsxu@semi.ac.cn | 不限 | |
35 | 從事硅光芯片技術(shù)研發(fā) | 博士 | 4 | 微電子學(xué)與固體電子學(xué) | oip@semi.ac.cn | 是 | |
36 | 特別研究助理或博士后:從事硅基光子器件與模塊的設(shè)計(jì)與表征;InP基光電子器件設(shè)計(jì)、制備及表征;硅基-ⅢⅤ異質(zhì)集成;鈮酸鋰調(diào)制器等的研發(fā) 要求(1)熱愛(ài)科研工作,踏實(shí)努力,具有責(zé)任心和團(tuán)隊(duì)合作精神;(2)專業(yè)背景(任一):光電子學(xué)、半導(dǎo)體光電子學(xué)、半導(dǎo)體物理、光通信、電子信息、材料物理與化學(xué)、材料學(xué)、半導(dǎo)體材料或相近專業(yè)的優(yōu)秀碩士畢業(yè)生或以上,博士?jī)?yōu)先;(3)優(yōu)先考慮具有硅光器件與模塊設(shè)計(jì)及測(cè)試經(jīng)驗(yàn) | 博士 | 2 | 微電子學(xué)與固體電子學(xué)、物理類(lèi) | yanghua@semi.ac.cn | 不限 | |
37 | 從事半導(dǎo)體物理及器件模擬,開(kāi)發(fā)模擬方法及程序研究工作 | 博士 | 3 | 物理類(lèi)、材料類(lèi) | jiameng@semi.ac.cn | 不限 | |
38 | 光電集成芯片設(shè)計(jì)與材料生長(zhǎng)和器件制備 | 博士 | 1 | 微電子學(xué)與固體電子學(xué) | jqpan@semi.ac.cn | 是 | |
光電系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室 | 39 | 光纖傳感系統(tǒng)研發(fā) | 碩士及以上 | 1 | 電子信息類(lèi)、計(jì)算機(jī)類(lèi) | zhangwt@semi.ac.cn | 不限 |
40 | 光纖傳感系統(tǒng)研發(fā) | 博士 | 1 | 電子信息類(lèi)、計(jì)算機(jī)類(lèi) | zhangwt@semi.ac.cn | 不限 | |
41 | 光電探測(cè)及成像系統(tǒng)設(shè)計(jì)與研發(fā) | 博士 | 2 | 電子科學(xué)與技術(shù)類(lèi)、光學(xué)工程類(lèi) | wangxinwei@semi.ac.cn | 不限 | |
寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)中心 | 42 | 開(kāi)展紫外LED封裝技術(shù)和金剛石基探測(cè)器制備技術(shù)研究 | 博士 | 1 | 凝聚態(tài)物理,電子科學(xué)與技術(shù) | jxwang@semi.ac.cn??? gqshan@semi.ac.cn | 不限 |
43 | 開(kāi)展氮化物半導(dǎo)體紫外LED和LD研究 | 碩士 | 2 | 凝聚態(tài)物理,電子科學(xué)與技術(shù) | jxwang@semi.ac.cn??? gqshan@semi.ac.cn | 不限 | |
44 | 氮化物紫外材料外延生長(zhǎng)設(shè)備維護(hù)與操作 | 本科 | 1 | 凝聚態(tài)物理,電子科學(xué)與技術(shù) | jxwang@semi.ac.cn??? gqshan@semi.ac.cn | 不限 | |
45 | 第三代半導(dǎo)體單晶材料生長(zhǎng)設(shè)備維護(hù)與操作 | 本科 | 1 | 光學(xué)工程,材料科學(xué)與工程 | jxwang@semi.ac.cn??? gqshan@semi.ac.cn | 不限 |
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